巨磁电阻效应(GMR),与 AMR 效应相比, GMR 效应具有更大的磁电阻变化率。
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    巨磁电阻效应(GMR)传感器

    http://www.sensor-hall.com/ 霍尔传感器 2010年7月5日 12:39

    巨磁电阻效应(GMR),与 AMR 效应相比, GMR 效应具有更大的磁电阻变化率。磁性材料的电阻率在有外磁场作用时,较之无外磁场作用时存在巨大变化。这种现象在坡莫合金和铁磁性材料中非常明显。这种电流检测手段,单从理论上描述,情形与前面的“各向异性磁电阻”非常近似,但其具体结构形式相差很大。巨磁阻元件对微弱磁场的敏感性更高,可以精确的测量直流和交流电流,具有尺寸小、宽响应频率、无残余磁场等优点,但是工艺相对复杂,成本也较高。主要用于高精度小电流的测量。