巨磁电阻效应（GMR），与 AMR 效应相比， GMR 效应具有更大的磁电阻变化率。
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巨磁电阻效应（GMR）传感器

http://www.sensor-hall.com/ 霍尔传感器 2010年7月5日 12:39

巨磁电阻效应（GMR），与 AMR 效应相比， GMR 效应具有更大的磁电阻变化率。磁性材料的电阻率在有外磁场作用时，较之无外磁场作用时存在巨大变化。这种现象在坡莫合金和铁磁性材料中非常明显。这种电流检测手段，单从理论上描述，情形与前面的“各向异性磁电阻”非常近似，但其具体结构形式相差很大。巨磁阻元件对微弱磁场的敏感性更高，可以精确的测量直流和交流电流，具有尺寸小、宽响应频率、无残余磁场等优点，但是工艺相对复杂，成本也较高。主要用于高精度小电流的测量。