TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器 ,主要用于汽车行业，汽车里有越来越多的电机和大电流电缆，它们都会产生杂散磁场，新产品在这方面有着行业领先的技术优势。
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TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器

http://www.sensor-hall.com/ 霍尔传感器 2010年7月5日 10:26

TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器 ,主要用于汽车行业，汽车里有越来越多的电机和大电流电缆，它们都会产生杂散磁场，新产品在这方面有着行业领先的技术优势。

TDK-Micronas仍在不断改进霍尔元件的性能（灵敏度、噪声、功耗）和功能（三维采集、应力抗扰度），主要创新在于杂散场抗扰度（降低外部干扰磁场对被测位置/角度相关磁场的影响，其原理就是使用多个霍尔元件，通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源，从而输出不受外部磁场干扰的数据。采用了获得专利的IP。产品规格显示杂散场剩余干扰只有< 0.1°。

这一切都有赖于直接将霍尔元件集成到CMOS技术中，即能够轻松地将多个霍尔元件集成到一个硅片上。这是该技术的独特优势。 

新型霍尔传感器不仅能精确测量磁场，而且对干扰磁场敏感度低。它们独特的杂散磁场概念基于垂直和水平霍尔板阵列。传感器的核心是获得专利的 3D 霍尔像素单元。高度灵活的传感器阵列使得设计工程师能针对不同测量任务选择最佳的杂散磁场概念。